APT34N80LC3G

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

APT34N80LC3G

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Microchip Technology

ເລະທີ່ສ່ວນ:

APT34N80LC3G-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 800V 34A TO264

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 800 V 34A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-264 [L]

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

13256152

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

APT34N80LC3G ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Microchip Technology

ບັນທຶກ

Tube

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

34A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

145mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 2mA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

355 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4510 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

417W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-264 [L]

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-264-3, TO-264AA

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

APT34N80

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

APT34N80(B2,L)C3 High-Voltage Power Discretes and Modules

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

25

ຊື່ ອື່ນໆ

APT34N80LC3GMI

APT34N80LC3GMI-ND

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

onsemi

NVH4L030N120M3S

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI

APTM10SKM05TG

MOSFET N-CH 100V 278A SP4

APTM20UM04SAG

MOSFET N-CH 200V 417A SP6

onsemi

NVBG040N120M3S

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI