ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

APTM20UM04SAG

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Microchip Technology

ເລະທີ່ສ່ວນ:

APTM20UM04SAG-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 200V 417A SP6

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 200 V 417A (Tc) 1560W (Tc) Chassis Mount SP6

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

13256161

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

APTM20UM04SAG ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Microchip Technology

ບັນທຶກ

Bulk

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

417A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 208.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

560 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

28800 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

1560W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-40°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Chassis Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

SP6

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

SP6

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

APTM20

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

APTM20UM04SAG High-Voltage Power Discretes and Modules

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

1

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

onsemi

NVBG040N120M3S

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI

onsemi

NTHL075N065SC1

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E

microchip-technology

APL1001J

MOSFET N-CH 1000V 18A ISOTOP

microchip-technology

APT47F60J

MOSFET N-CH 600V 49A ISOTOP