IXTP08N50D2

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IXTP08N50D2

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

IXYS

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IXTP08N50D2-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 500 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12909651

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IXTP08N50D2 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Littelfuse

ບັນທຶກ

Tube

ຊຸດ

Depletion

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

800mA (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.6Ohm @ 400mA, 0V

Vgs(th) (Max) @ Id

-

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.7 nC @ 5 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

312 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

Depletion Mode

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

60W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-220-3

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-220-3

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

IXTP08

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

IXT(Y,A,P)08N50D2

ບັນທຶກ HTML

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

50

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

littelfuse

IXFN80N60P3

MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

vishay-siliconix

IRFBC40STRL

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

vishay-siliconix

IRFBC40LCSTRR

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

vishay-siliconix

2N6660JTXP02

MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD