2N6660JTXP02
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

2N6660JTXP02

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

2N6660JTXP02-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 990mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-205AD (TO-39)

ສິນຄ້າ:

12909669
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

2N6660JTXP02 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
990mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-205AD (TO-39)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
2N6660

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
20

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS non-compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
2N6660
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2405
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
2N6660-DG
ລາຄາຕໍານອນ
13.05
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
littelfuse

IXFK26N90

MOSFET N-CH 900V 26A TO-264

vishay-siliconix

IRFR1N60ATRRPBF

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

vishay-siliconix

IRFL110TR

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

vishay-siliconix

IRL3202L

MOSFET N-CH 20V 48A TO262-3