ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IXFX100N25
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
IXYS
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IXFX100N25-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 250V 100A PLUS247-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 250 V 100A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
ສິນຄ້າ:
12907923
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IXFX100N25 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Littelfuse
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
HiPerFET™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9100 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
560W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PLUS247™-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3 Variant
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IXFX100
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFX140N30P
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFX140N30P-DG
ລາຄາຕໍານອນ
13.10
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRFP4868PBF
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2189
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRFP4868PBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
3.47
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRFP4332PBF
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
471
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRFP4332PBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.48
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRLR110TRL
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
IRF9620L
MOSFET P-CH 200V 3.5A I2PAK
IRFD110
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
