ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IRFD110
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IRFD110-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
ສິນຄ້າ:
12907942
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IRFD110 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
540mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
180 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.3W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
4-HVMDIP
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
4-DIP (0.300", 7.62mm)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IRFD110
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
*IRFD110
IRFD111
IRFD112
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS non-compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRFD110PBF
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
21588
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRFD110PBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.57
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRFD110
ຜູ້ຜະລິດ
Harris Corporation
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
44368
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRFD110-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.54
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRF734PBF
MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220AB
IRFPG50
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO247-3
IRF9540STRLPBF
MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
