ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IXFL38N100Q2
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
IXYS
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IXFL38N100Q2-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1000 V 29A (Tc) 380W (Tc) Through Hole ISOPLUS264™
ສິນຄ້າ:
12906391
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IXFL38N100Q2 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Littelfuse
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
HiPerFET™, Q2 Class
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Not For New Designs
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
29A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
13500 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
380W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
ISOPLUS264™
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-264-3, TO-264AA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IXFL38
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
25
ຊື່ ອື່ນໆ
614235
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
APT17F100B
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
APT17F100B-DG
ລາຄາຕໍານອນ
9.09
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFL38N100P
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFL38N100P-DG
ລາຄາຕໍານອນ
24.04
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRFR110TRR
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
IRF9640STRR
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
IRFIBC40GLC
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
