IXFL38N100P
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IXFL38N100P

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

IXYS

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IXFL38N100P-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 1000V 29A I5PAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1000 V 29A (Tc) 520W (Tc) Through Hole ISOPLUSi5-Pak™

ສິນຄ້າ:

12820842
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IXFL38N100P ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Littelfuse
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
HiPerFET™, Polar
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
29A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
230mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
350 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
24000 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
520W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
ISOPLUSi5-Pak™
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
ISOPLUSi5-PAK™
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IXFL38

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
25

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
APT29F100B2
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
37
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
APT29F100B2-DG
ລາຄາຕໍານອນ
14.03
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
littelfuse

IXFX210N30X3

MOSFET N-CH 300V 210A PLUS247-3

littelfuse

IXFN70N120SK

SICFET N-CH 1200V 68A SOT227B

littelfuse

IXTY18P10T

MOSFET P-CH 100V 18A TO252

littelfuse

IXTN120N25

MOSFET N-CH 250V 120A SOT227B