APT29F100B2
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

APT29F100B2

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Microchip Technology

ເລະທີ່ສ່ວນ:

APT29F100B2-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1000 V 30A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

ສິນຄ້າ:

37 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
13252746
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

APT29F100B2 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
POWER MOS 8™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
440mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8500 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1040W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
T-MAX™ [B2]
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3 Variant
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
APT29F100

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
APT29F100(B2,L)

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
microchip-technology

APT20M18LVRG

MOSFET N-CH 200V 100A TO264

microchip-technology

APTM20DAM05G

MOSFET N-CH 200V 317A SP6

microchip-technology

APT5020BVFRG

MOSFET N-CH 500V 26A TO247

microchip-technology

APT47N60BC3G

MOSFET N-CH 600V 47A TO247