IRL3102PBF

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IRL3102PBF

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IRL3102PBF-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 20V 61A TO220AB

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 20 V 61A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-220AB

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12807310

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IRL3102PBF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Infineon Technologies

ບັນທຶກ

-

ຊຸດ

HEXFET®

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Obsolete

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

61A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 7V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 37A, 7V

Vgs(th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA (Min)

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

58 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2500 pF @ 15 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

89W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-220AB

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-220-3

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ບັນທຶກ HTML

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ແຫລ່ງ ຊ່ວຍ ເຫລືອ ການ ອອກ ແບບ

IRL3102 Saber Model

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

50

ຊື່ ອື່ນໆ

*IRL3102PBF

SP001576478

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

infineon-technologies

IRFR13N20DTR

MOSFET N-CH 200V 13A DPAK

infineon-technologies

IRF4104PBF

MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

infineon-technologies

IRL8113S

MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK

infineon-technologies

IRFR4104TRPBF

MOSFET N-CH 40V 42A DPAK