IRL8113S
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IRL8113S

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IRL8113S-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 105A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK

ສິນຄ້າ:

12807315
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IRL8113S ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
HEXFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
105A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2840 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
110W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
D2PAK
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ແຫລ່ງ ຊ່ວຍ ເຫລືອ ການ ອອກ ແບບ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
*IRL8113S

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS non-compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
PSMN4R3-30BL,118
ຜູ້ຜະລິດ
Nexperia USA Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
9945
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
PSMN4R3-30BL,118-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.58
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
PSMN017-30BL,118
ຜູ້ຜະລິດ
Nexperia USA Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1868
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
PSMN017-30BL,118-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.37
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
infineon-technologies

IRFR4104TRPBF

MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

infineon-technologies

IPP90R800C3XKSA2

MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3

infineon-technologies

SPP24N60CFDHKSA1

MOSFET N-CH 650V 21.7A TO220-3