ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IQD020N10NM5CGATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IQD020N10NM5CGATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 100 V 26A (Ta), 273A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-U02
ສິນຄ້າ:
5000 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12943335
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IQD020N10NM5CGATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™ 5
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
26A (Ta), 273A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.05mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 159µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
134 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9500 pF @ 50 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
3W (Ta), 333W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TTFN-9-U02
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
9-PowerTDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IQD020
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
448-IQD020N10NM5CGATMA1CT
448-IQD020N10NM5CGATMA1TR
448-IQD020N10NM5CGATMA1DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IQDH45N04LM6CGATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
IQDH35N03LM5CGATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
IQD009N06NM5CGATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR