ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IQD009N06NM5CGATMA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IQD009N06NM5CGATMA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-U02

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12943341

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IQD009N06NM5CGATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Infineon Technologies

ບັນທຶກ

Tape & Reel (TR)

ຊຸດ

OptiMOS™ 5

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

42A (Ta), 445A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.9mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.3V @ 163µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

12000 pF @ 30 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

3W (Ta), 333W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 175°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

PG-TTFN-9-U02

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

9-PowerTDFN

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

IQD009

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

5,000

ຊື່ ອື່ນໆ

448-IQD009N06NM5CGATMA1TR

448-IQD009N06NM5CGATMA1CT

448-IQD009N06NM5CGATMA1DKR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.39.0001

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

IQD005N04NM6CGATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR

IQD016N08NM5CGATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR

stmicroelectronics

STP50N60DM6

MOSFET N-CH 600V 36A TO220

STN6N60M2

MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2