IPB65R065C7ATMA2
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IPB65R065C7ATMA2

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IPB65R065C7ATMA2-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 650 V 33A (Tc) 171W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

ສິນຄ້າ:

5227 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12801353
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IPB65R065C7ATMA2 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
CoolMOS™ C7
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 17.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3020 pF @ 400 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
171W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO263-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPB65R065

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SP002447554
IPB65R065C7ATMA2CT
IPB65R065C7ATMA2DKR
IPB65R065C7ATMA2TR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
infineon-technologies

IPA60R180C7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP

infineon-technologies

IPB60R099CPATMA1

MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3

infineon-technologies

IPL65R660E6AUMA1

MOSFET N-CH 650V 7A THIN-PAK

infineon-technologies

IPB107N20NAATMA1

MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK