ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPL65R660E6AUMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPL65R660E6AUMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 650V 7A THIN-PAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
ສິນຄ້າ:
12801359
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPL65R660E6AUMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
CoolMOS™ E6
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
660mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
63W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-40°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-VSON-4
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
4-PowerTSFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPL65R
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SP000895212
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
2A (4 Weeks)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IPL60R185P7AUMA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
5980
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IPL60R185P7AUMA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.15
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPB107N20NAATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
BSS119NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
IPP04CN10NG
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3