ໜ້າທໍ່
ສິນຄ້າ
ຜູ້ປະຕິບັດ
ແກ່ການເວັບໄຊ DiGi
ແຈ້ງບັນຊາ
ບລັອກ ແລະໂພສ
RFQ/ອະທິບາຍ
Laos
ເຂົ້າໃຈ
ເລືອກພາສາ
ພາສາປະຈຸບັນຂອງທ່ານແວ່ນເລືອກ:
Laos
ປ່ອນ:
ພາສາອັງກິດ
ເອີຣົບ
ປະເທດຣາດຊະອານາຈັກອັງກິດ
ປະເທດຝຣັ່ງ
ປະເທດສະເປນ
ປະເທດຕຸລາກີ
ປະເທດ Moldova
ປະເທດລິດທົວເນຍ
ປະເທດນໍເວ
ປະເທດເຢຍລະມັນ
ປະເທດໂປຕູເກດ
ປະເທດສະໂລວາເກຍ
ltaly
ປະເທດຟິນແລນ
ພາສາຣັດເຊຍ
ປະເທດບັງກາເຣຍ
ປະເທດເດນມາກ
ປະເທດເອດສະໂຕເນຍ
ປະເທດໂປແລນ
ປະເທດຢູເຄຣນ
ປະເທດສະໂລວາເນຍ
ພາສາເຊັກໂກ
ພາສາເກຼັກ
ປະເທດໂຄເອເຊຍ
ປະເທດອິດສະລາແອວ
ປະເທດເຊີເບຍ
ປະເທດເບລາຣຸດ
ປະເທດເນເທີແລນ
ປະເທດສະວີເດັນ
ມອນເຕເນໂກຣ
ພາສາແບສ
ປະເທດໄອສແລນ
ປະເທດບອສເນຍ
ພາສາຮົງກາລີ
ປະເທດໂຣມາເນຍ
ປະເທດໂອຕຣິດ
ປະເທດເບນຊິກ
ປະເທດໄອແລນ
ອາຊີ / ປາຊີຟິກ
ປະ ເທດ ຈີນ
ປະເທດຫວຽດນາມ
ປະເທດອິນໂດເນເຊຍ
ປະເທດໄທ
ລາວເວົ້າ
ພາສາຟິລິບປິນ
ປະເທດມາເລເຊຍ
ປະເທດເກົາຫຼີ
ປະເທດຍີ່ປຸ່ນ
ຮົງກົງ
ປະເທດໄຕ້ຫວັນ
ປະເທດສິງກະໂປ
Pakistan
ປະເທດຊາອູດິອາຣະເບຍ
ປະເທດກາຕ້າ
ປະເທດກູເວດ
ປະເທດກໍາປູເຈຍ
ມຽນມາ
ອາ ຟຣິ ກາ, ອິນ ເດຍ ແລະ ຕາ ເວັນ ອອກ ກາງ
ປະເທດສະຫະພາບອາຣັບເອມິເຣດ
ຕາຈິກສະຕັນ
ມາດາກາສະກາ
ປະເທດອິນເດຍ
ປະເທດອີຣານ
DR Congo
ປະເທດອັບຝຣິກກາໄຕ້
ປະເທດເອຢິບ
ປະເທດເຄນຢ້າ
ປະເທດ Tanzania
ປະ ເທດກາ ນາ
ເຊເນກາລ
ປະເທດໂມຣົກໂກ
ປະເທດຕຸນີເຊຍ
ອາ ເມ ຣິ ກາ ໃຕ້ / ໂອ ເຊຍ
ປະເທດນິວຊີແລນ
ແອນ ໂກ ລາ
ປະເທດເບຣຊິນ
ໂມຊໍາບິກ
ປະເທດເປຣູ
ປະເທດໂຄລຳເບຍ
ປະເທດຊິລີ
ປະເທດເວເນຊູເອລ້າ
ປະເທດເອກົວດໍ
ປະເທດໂບລີເວຍ
ປະເທດອູຣູໄກວ
ປະເທດອາເຈນຕິນາ
ປະເທດປາຣາໄກວ
ປະເທດອົດສະຕຣາລີ
ອາ ເມ ຣິ ກາ ເຫນືອ
ປະເທດສະຫະລັດອາເມລິກາ
ປະເທດ ເຮ ຕີ້
ປະເທດການາດາ
ປະເທດຄອດສະຕາຣິກາ
ປະເທດແມັກຊີໂກ
ແກ່ການເວັບໄຊ DiGi
ກໍ່ກ່ຽວກັບເຮົາ
ກໍ່ກ່ຽວກັບເຮົາ
ใบรับรองของเรา
DiGi ບົດນຳແນະ
ວສິຄະ ໃຫ້ DiGi
ນโยບາຍ
ປະລິມານຄຸນທັບ
ເງື່ນໄຂການໃຊ້ງານ
ການປ່ອນສາຍ RoHS
ການສະແດງການກັບຄືນ
ທະບຽນ
ປະເພດສິນຄ້າ
ຜູ້ປະຕິບັດ
ບລັອກ ແລະໂພສ
ໃບບໍລິສັດ
ການປະກັນຄະດີ
ວິທີການເຊອຍເອີນ
ການສົ່ງສິນຄ້າລະດົກທົ່ວໄປ
ອັດຕາຄ່າແບ່ງສົ່ງ
ຄວາມຖາມທີ່ພໍໃຈ
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPB019N08N3GATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPB019N08N3GATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 80 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
ສິນຄ້າ:
8632 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12800599
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
*
ບໍລິສັດ
*
ຊື່ຕໍ່ສຽງ
*
ໂທ
*
ອີເມວ
ສະຖານທີ່ສົ່ງໃບເດີນ
ຂໍເລືອກສາທາລະນະ
(
*
) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPB019N08N3GATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 270µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14200 pF @ 40 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
300W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO263-7
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPB019
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
IPB019N08N3 G
ບັນທຶກ HTML
IPB019N08N3GATMA1-DG
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
IPB019N08N3GATMA1
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
IPB019N08N3GATMA1CT
IPB019N08N3 G-DG
IPB019N08N3 G
Q4136793
IPB019N08N3 GCT
IPB019N08N3 GTR-DG
IPB019N08N3GATMA1TR
SP000444110
2832-IPB019N08N3GATMA1-TR
IPB019N08N3G
IPB019N08N3 GCT-DG
IPB019N08N3 GDKR-DG
IPB019N08N3 GDKR
IPB019N08N3GATMA1DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPI25N06S3L-22
MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3
IPB117N20NFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
IPC100N04S5L1R5ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
IPB036N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7