ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPB117N20NFDATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPB117N20NFDATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 200 V 84A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
ສິນຄ້າ:
900 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12800602
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPB117N20NFDATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
84A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.7mOhm @ 84A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6650 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
300W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO263-3-2
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPB117
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
IPB117N20NFDATMA1-DG
IPB117N20NFDATMA1CT
IPB117N20NFDATMA1TR
IPB117N20NFDATMA1DKR
SP001107232
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFA90N20X3
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
16
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFA90N20X3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
5.14
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPC100N04S5L1R5ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
IPB036N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
IPD50R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
