ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BSS192PH6327XTSA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BSS192PH6327XTSA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 250 V 190mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
ສິນຄ້າ:
12799693
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BSS192PH6327XTSA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
SIPMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
190mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 130µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
104 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-SOT89
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-243AA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BSS192
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SP001195030
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
BSS192PH6327FTSA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
22508
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
BSS192PH6327FTSA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.16
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
BSO4420T
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
IPD50R800CEATMA1
MOSFET N CH 500V 5A TO252
IPD50R280CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3
