ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BSC120N03MSGATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BSC120N03MSGATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 39A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
ສິນຄ້າ:
28843 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12799703
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BSC120N03MSGATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
11A (Ta), 39A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TDSON-8-5
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerTDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BSC120
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
BSC120N03MS G
BSC120N03MSGINTR
BSC120N03MSGATMA1DKR
BSC120N03MSGINTR-DG
BSC120N03MSGXT
BSC120N03MSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC120N03MSGINCT-DG
BSC120N03MSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC120N03MSG
BSC120N03MSGATMA1TR
BSC120N03MSGINCT
SP000311516
BSC120N03MSGINDKR-DG
BSC120N03MSGATMA1CT
BSC120N03MSGINDKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPC302N15N3X7SA1
MV POWER MOS
IPA65R600E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP
BSC032N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
