ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BSD235CH6327XTSA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BSD235CH6327XTSA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6-1
ສິນຄ້າ:
45987 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12800019
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BSD235CH6327XTSA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
N and P-Channel
ລັກສະນະ FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
950mA, 530mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 1.6µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.34nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
47pF @ 10V
ພະລັງ - Max
500mW
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-SOT363-6-1
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BSD235
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
BSD235C H6327TR-DG
BSD235C H6327CT
BSD235C H6327
SP000917610
BSD235C H6327DKR-DG
BSD235C H6327CT-DG
BSD235CH6327XT
BSD235CH6327XTSA1CT
BSD235CH6327
BSD235C H6327DKR
BSD235CH6327XTSA1DKR
BSD235CH6327XTSA1TR
BSD235C H6327-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
DF23MR12W1M1B11BOMA1
SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
IPG16N10S461AATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
IPG20N06S2L50AATMA1
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
