ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
DF23MR12W1M1B11BOMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
DF23MR12W1M1B11BOMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 25A Chassis Mount AG-EASY1BM-2
ສິນຄ້າ:
12800026
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
DF23MR12W1M1B11BOMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
Silicon Carbide (SiC)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 N-Channel (Dual)
ລັກສະນະ FET
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 25A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 10mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
620nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 800V
ພະລັງ - Max
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-40°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Chassis Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
Module
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
AG-EASY1BM-2
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
DF23MR12
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
24
ຊື່ ອື່ນໆ
SP001602244
IFEINFDF23MR12W1M1B11BOMA1
2156-DF23MR12W1M1B11BOMA1
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
Not Applicable
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
DF23MR12W1M1B11BPSA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
12
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
DF23MR12W1M1B11BPSA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
80.12
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPG16N10S461AATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
IPG20N06S2L50AATMA1
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
BSZ15DC02KDHXTMA1
MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
