ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BSC900N20NS3GATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BSC900N20NS3GATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
ສິນຄ້າ:
12799182
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BSC900N20NS3GATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
15.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 30µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
920 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
62.5W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TDSON-8-5
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerTDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BSC900
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
BSC900N20NS3GATMA1TR
BSC900N20NS3GTR
BSC900N20NS3GTR-DG
BSC900N20NS3GCT-DG
BSC900N20NS3GCT
BSC900N20NS3GATMA1CT
BSC900N20NS3 G
SP000781780
BSC900N20NS3GATMA1DKR
BSC900N20NS3GDKR
BSC900N20NS3G
BSC900N20NS3GDKR-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
BSZ900N20NS3GATMA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
16519
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
BSZ900N20NS3GATMA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.76
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
BSL305SPEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 5.3A TSOP-6
BSC050N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 16A/80A TDSON
BSZ017NE2LS5IATMA1
MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON