ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BSZ900N20NS3GATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BSZ900N20NS3GATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
ສິນຄ້າ:
16519 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12799398
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BSZ900N20NS3GATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
15.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 30µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
920 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
62.5W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TSDSON-8
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerTDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BSZ900
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
BSZ900N20NS3GTR-DG
BSZ900N20NS3GATMA1CT
BSZ900N20NS3GCT
BSZ900N20NS3G
BSZ900N20NS3 G
2156-BSZ900N20NS3GATMA1
BSZ900N20NS3GTR
BSZ900N20NS3GDKR-DG
BSZ900N20NS3GATMA1DKR
BSZ900N20NS3GDKR
BSZ900N20NS3GATMA1TR
SP000781806
BSZ900N20NS3GCT-DG
INFINFBSZ900N20NS3GATMA1
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
BSS126H6327XTSA2
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
BSD816SNL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6
BSC16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5