BSC093N15NS5ATMA1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

BSC093N15NS5ATMA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

BSC093N15NS5ATMA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 150 V 87A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7

ສິນຄ້າ:

7592 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
13063958
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

BSC093N15NS5ATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ແພັກເກດ
Tape & Reel (TR)
ສະຖານະພາບຂອງພາກສ່ວນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
87A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.3mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 107µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3230 pF @ 75 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
139W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TDSON-8-7
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerTDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BSC093

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
BSC093N15NS5ATMA1-ND
SP001279590
BSC093N15NS5ATMA1CT
BSC093N15NS5ATMA1DKR
BSC093N15NS5ATMA1TR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
infineon-technologies

IPD10N03LA

MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3

infineon-technologies

BSZ900N15NS3GATMA1

MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON

infineon-technologies

IPD60R1K0CEATMA1

MOSFET N-CH 600V 4.3A TO252-3

infineon-technologies

IPB054N06N3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK