IPD10N03LA
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IPD10N03LA

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IPD10N03LA-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 25 V 30A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

ສິນຄ້າ:

13063960
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IPD10N03LA ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
OptiMOS™
ແພັກເກດ
Tape & Reel (TR)
ສະຖານະພາບຂອງພາກສ່ວນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1358 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
52W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO252-3-11
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPD10N

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
SP000014983
IPD10N03LAT

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS non-compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FDD8880
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
13967
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FDD8880-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.27
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
infineon-technologies

BSZ900N15NS3GATMA1

MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON

infineon-technologies

IPD60R1K0CEATMA1

MOSFET N-CH 600V 4.3A TO252-3

infineon-technologies

IPB054N06N3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

infineon-technologies

IPB60R190P6ATMA1

MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK