ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
G30N02T
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Goford Semiconductor
ເລະທີ່ສ່ວນ:
G30N02T-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
N20V,RD(MAX)<[email protected],VTH0.5V~1.
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 20 V 30A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220
ສິນຄ້າ:
12978363
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
G30N02T ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Goford Semiconductor
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
Standard
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
40W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
3141-G30N02T
4822-G30N02T
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
