G08P06D3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

G08P06D3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Goford Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

G08P06D3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET P-CH 60V 8A DFN3*3-8L
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 8A (Tc) 32W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)

ສິນຄ້າ:

30000 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12978366
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

G08P06D3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Goford Semiconductor
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
ລັກສະນະ FET
Standard
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
32W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-DFN (3.15x3.05)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerVDFN

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
4822-G08P06D3TR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS non-compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
3 (168 Hours)
ສະຖານະພາບ REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
goford-semiconductor

GT088N06T

N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@

goford-semiconductor

GT088N06T

MOSFET N-CH 60V 60A TO-220

goford-semiconductor

GC20N65Q

N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4

goford-semiconductor

G70N04T

N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@