ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
G130N06M
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Goford Semiconductor
ເລະທີ່ສ່ວນ:
G130N06M-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-263
ສິນຄ້າ:
780 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
13309548
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
G130N06M ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Goford Semiconductor
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET®
ແພັກເກດ
Tape & Reel (TR)
ສະຖານະພາບຂອງພາກສ່ວນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2867 pF @ 30 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
85W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-263
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
800
ຊື່ ອື່ນໆ
3141-G130N06MTR
3141-G130N06MCT
3141-G130N06MDKR
4822-G130N06MTR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS Compliant
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
G130N06M
ຜູ້ຜະລິດ
Goford Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
780
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
G130N06M-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.32
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
GT023N10T
N100V, 140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~
SSM6K804R,LF
N-CH MOSFET 40V, +/-20V, 12A ,0.
SSM6J808R,LF
P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
