FQI4N80TU

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FQI4N80TU

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Fairchild Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FQI4N80TU-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 800 V 3.9A (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

ສິນຄ້າ:

1550 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12946768

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

FQI4N80TU ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

ບັນທຶກ

Bulk

ຊຸດ

QFET®

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

3.9A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6Ohm @ 1.95A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

880 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

3.13W (Ta), 130W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-262 (I2PAK)

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

FQI4N80TU Datasheet

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

287

ຊື່ ອື່ນໆ

FAIFSCFQI4N80TU

2156-FQI4N80TU

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.39.0001

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

fairchild-semiconductor

FQP12N60C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

international-rectifier

IRF2805PBF

IRF2805 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FQI5N60CTU

MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK

fairchild-semiconductor

FQP3P20

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2