FQI5N60CTU

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FQI5N60CTU

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Fairchild Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FQI5N60CTU-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 3.13W (Ta), 100W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

ສິນຄ້າ:

34688 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12946771

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

FQI5N60CTU ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

ບັນທຶກ

Bulk

ຊຸດ

QFET®

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

4.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5Ohm @ 2.25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

670 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

3.13W (Ta), 100W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-262 (I2PAK)

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

FQI5N60CTU Datasheet

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

350

ຊື່ ອື່ນໆ

2156-FQI5N60CTU

FAIFSCFQI5N60CTU

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.39.0001

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

fairchild-semiconductor

FQP3P20

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FQA44N30

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

fairchild-semiconductor

FDP16AN08A0

MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3

fairchild-semiconductor

FDPF13N50FT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1