FDFM2P110
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FDFM2P110

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Fairchild Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FDFM2P110-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 20 V 3.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MicroFET 3x3mm

ສິນຄ້າ:

2879 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12947131
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

FDFM2P110 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
PowerTrench®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
280 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
Schottky Diode (Isolated)
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
MicroFET 3x3mm
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
6-WDFN Exposed Pad

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
761
ຊື່ ອື່ນໆ
ONSONSFDFM2P110
2156-FDFM2P110

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
fairchild-semiconductor

FDP7030BL

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

fairchild-semiconductor

FDP100N10

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

international-rectifier

IRF6641TRPBF

IRF6641 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FQU5N60CTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2