FDP7030BL
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FDP7030BL

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Fairchild Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FDP7030BL-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 60A (Ta) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3

ສິນຄ້າ:

72127 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12947139
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

FDP7030BL ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
PowerTrench®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
60A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1760 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
60W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-65°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
FDB7030BL, FDP7030BL

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
436
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-FDP7030BL
FAIFSCFDP7030BL

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
fairchild-semiconductor

FDP100N10

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

international-rectifier

IRF6641TRPBF

IRF6641 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FQU5N60CTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

nxp-semiconductors

PSMN2R6-60PSQ

NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150