ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
EPC2110ENGRT
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
EPC
ເລະທີ່ສ່ວນ:
EPC2110ENGRT-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 120V 3.4A Surface Mount Die
ສິນຄ້າ:
12795179
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
EPC2110ENGRT ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
EPC
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
eGaN®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
GaNFET (Gallium Nitride)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 N-Channel (Dual) Common Source
ລັກສະນະ FET
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
120V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 700µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
80pF @ 60V
ພະລັງ - Max
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-40°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
Die
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
Die
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
EPC211
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
917-EPC2110ENGRCT
917-EPC2110ENGRTR
EPC2110ENGR
917-EPC2110ENGRDKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0040
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
EPC2106
GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
EPC2105ENGRT
GANFET 2N-CH 80V 9.5A DIE
EPC2108
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
