ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
EPC2105ENGRT
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
EPC
ເລະທີ່ສ່ວນ:
EPC2105ENGRT-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
GANFET 2N-CH 80V 9.5A DIE
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 80V 9.5A Surface Mount Die
ສິນຄ້າ:
12795182
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
EPC2105ENGRT ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
EPC
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
eGaN®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Discontinued at Digi-Key
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
GaNFET (Gallium Nitride)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 N-Channel (Half Bridge)
ລັກສະນະ FET
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
80V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
9.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.5mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 2.5mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 40V
ພະລັງ - Max
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-40°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
Die
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
Die
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
EPC210
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
500
ຊື່ ອື່ນໆ
917-EPC2105ENGRDKR
917-EPC2105ENGRTR
917-EPC2105ENGRCT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
