ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
ZXMN6A08E6TC
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Diodes Incorporated
ເລະທີ່ສ່ວນ:
ZXMN6A08E6TC-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 2.8A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
ສິນຄ້າ:
12905571
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
ZXMN6A08E6TC ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
2.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
459 pF @ 40 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.1W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SOT-26
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-23-6
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
ZXMN6
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
10,000
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
ZXMN6A08E6QTA
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
5865
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
ZXMN6A08E6QTA-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.28
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SI3442BDV-T1-E3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
26929
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SI3442BDV-T1-E3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.17
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
ZXMN6A08E6TA
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
33202
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
ZXMN6A08E6TA-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.25
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
ZVN4306AVSTOA
MOSFET N-CH 60V 1.1A E-LINE
IRLD110PBF
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
IXTA3N100P
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
