SI3442BDV-T1-E3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SI3442BDV-T1-E3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SI3442BDV-T1-E3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 20 V 3A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP

ສິນຄ້າ:

26929 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12916136
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SI3442BDV-T1-E3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
57mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
295 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
860mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
6-TSOP
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI3442

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SI3442BDV-T1-E3TR
SI3442BDV-T1-E3DKR
SI3442BDV-T1-E3CT
SI3442BDVT1E3

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SI4324DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 36A 8SO

vishay-siliconix

SI4102DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO

vishay-siliconix

SI7866ADP-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI7668ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8