DMT3009UFVW-13
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

DMT3009UFVW-13

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Diodes Incorporated

ເລະທີ່ສ່ວນ:

DMT3009UFVW-13-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 10.6A (Ta), 30A (Tc) 1.2W (Ta), 2.6W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

ສິນຄ້າ:

13270162
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

DMT3009UFVW-13 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
10.6A (Ta), 30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
894 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.2W (Ta), 2.6W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount, Wettable Flank
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerVDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
DMT3009

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
31-DMT3009UFVW-13TR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SIHD690N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK

diodes

DMTH6006LPSW-13

MOSFET N-CH 60V 17.2A/100A PWRDI

vishay-siliconix

SQJA36EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIR150DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK