SIHD690N60E-GE3

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SIHD690N60E-GE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SIHD690N60E-GE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 600 V 6.4A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

13270163

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

SIHD690N60E-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Vishay

ບັນທຶກ

Tube

ຊຸດ

E

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

6.4A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

347 pF @ 100 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

62.5W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-252AA

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

SIHD690

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

SIHD690N60E-GE3-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

SIHD690N60E-GE3

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

3,000

ຊື່ ອື່ນໆ

742-SIHD690N60E-GE3

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

diodes

DMTH6006LPSW-13

MOSFET N-CH 60V 17.2A/100A PWRDI

vishay-siliconix

SQJA36EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIR150DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK

vishay-siliconix

SIHH070N60EF-T1GE3

MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 8