DMN3016LFDE-7
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

DMN3016LFDE-7

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Diodes Incorporated

ເລະທີ່ສ່ວນ:

DMN3016LFDE-7-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)

ສິນຄ້າ:

27621 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12890329
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

DMN3016LFDE-7 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1415 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
730mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
U-DFN2020-6 (Type E)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
6-PowerUDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
DMN3016

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
DMN3016LFDE-7DIDKR
DMN3016LFDE-7DITR
-DMN3016LFDE-7DIDKR
DMN3016LFDE-7DI
DMN3016LFDE-7DICT
-DMN3016LFDE-7DICT
DMN3016LFDE-7DI-DG
-DMN3016LFDE-7DITR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
toshiba-semiconductor-and-storage

TK12A50D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

TK58A06N1,S4X

MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

TK3A65D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

TPCA8005-H(TE12LQM

MOSFET N-CH 30V 27A 8SOP