ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
TK58A06N1,S4X
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
TK58A06N1,S4X-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 58A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
ສິນຄ້າ:
4 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12890337
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
TK58A06N1,S4X ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
U-MOSVIII-H
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
58A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3400 pF @ 30 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
35W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220SIS
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3 Full Pack
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
TK58A06
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
TK58A06N1S4X
TK58A06N1,S4X-DG
TK58A06N1,S4X(S
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
TK3A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS
TPCA8005-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 27A 8SOP
TK12P60W,RVQ(S
MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK