ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
DMN2026UVT-13
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Diodes Incorporated
ເລະທີ່ສ່ວນ:
DMN2026UVT-13-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 20 V 6.2A (Tc) 1.15W (Ta) Surface Mount TSOT-23-6
ສິນຄ້າ:
12887712
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
DMN2026UVT-13 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18.4 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
887 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.15W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TSOT-23-6
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
DMN2026
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
10,000
ຊື່ ອື່ນໆ
DMN2026UVT-13DI
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FDC637AN
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
12361
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FDC637AN-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.25
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
DMN2026UVT-7
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
3000
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
DMN2026UVT-7-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.10
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
ZXMN2F34MATA
MOSFET N-CH 20V 4A DFN322
DMN10H170SVTQ-7
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
ZVN2110ASTOA
MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE
