ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
ZVN2110ASTOA
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Diodes Incorporated
ເລະທີ່ສ່ວນ:
ZVN2110ASTOA-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 100 V 320mA (Ta) 700mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
ສິນຄ້າ:
12887728
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
ZVN2110ASTOA ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
320mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
75 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
700mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
E-Line (TO-92 compatible)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
E-Line-3
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,000
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
TN0110N3-G
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
TN0110N3-G-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.88
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
VN0109N3-G
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
3705
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
VN0109N3-G-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.64
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
DMN3030LFG-7
MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
ZVP2110ASTOA
MOSFET P-CH 100V 230MA E-LINE
DMG4435SSS-13
MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP
