ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SIRS4301DP-T1-GE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SIRS4301DP-T1-GE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

P-Channel 30 V 53.7A (Ta), 227A (Tc) 7.4W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

13374269

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

SIRS4301DP-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Vishay

ບັນທຶກ

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

ຊຸດ

-

ແພັກເກດ

Tape & Reel (TR)

ສະຖານະພາບຂອງພາກສ່ວນ

Active

ປະເພດ FET

P-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

53.7A (Ta), 227A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

255 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

19750 pF @ 15 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

7.4W (Ta), 132W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

PowerPAK® SO-8

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

PowerPAK® SO-8

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

SIRS4301

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

3,000

ຊື່ ອື່ນໆ

742-SIRS4301DP-T1-GE3TR

742-SIRS4301DP-T1-GE3CT

742-SIRS4301DP-T1-GE3DKR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

SISS4402DN-T1-GE3

N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

SISS5623DN-T1-GE3

P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE

TSM10ND65CI

650V, 10A, SINGLE N-CHANNEL POW

TSM70N900CI

700V, 4.5A, SINGLE N-CHANNEL POW