ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SIHW47N60EF-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SIHW47N60EF-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247AD
ສິນຄ້າ:
13008260
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SIHW47N60EF-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ແພັກເກດ
Tube
ສະຖານະພາບຂອງພາກສ່ວນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
47A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4854 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
379W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-247AD
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIHW47
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STW56N60M2
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
31
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STW56N60M2-DG
ລາຄາຕໍານອນ
4.61
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FCH072N60
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
39
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FCH072N60-DG
ລາຄາຕໍານອນ
4.53
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FCH070N60E
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
473
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FCH070N60E-DG
ລາຄາຕໍານອນ
5.38
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SIHD3N50DT4-GE3
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
SIR872ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
SQ2337ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
