SIHB17N80E-GE3

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SIHB17N80E-GE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SIHB17N80E-GE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 800 V 15A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

ສິນຄ້າ:

993 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

13063289

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

SIHB17N80E-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Vishay

ບັນທຶກ

Tube

ຊຸດ

E

ແພັກເກດ

Tube

ສະຖານະພາບຂອງພາກສ່ວນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

15A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

122 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2408 pF @ 100 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

208W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-263 (D2PAK)

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

SIHB17

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

SIHB17N80E-GE3-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

1,000

ຊື່ ອື່ນໆ

SIHB17N80E-GE3-ND

742-SIHB17N80E-GE3

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

vishay

SISS22DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK

vishay

SISS23DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

infineon-technologies

BSS138W L6433

MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3

infineon-technologies

AUIRLS3034-7P

MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK