SIE832DF-T1-E3

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SIE832DF-T1-E3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SIE832DF-T1-E3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 40V 50A 10POLARPAK

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 40 V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S)

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

13062308

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

SIE832DF-T1-E3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Vishay

ບັນທຶກ

-

ຊຸດ

TrenchFET®

ແພັກເກດ

Tape & Reel (TR)

ສະຖານະພາບຂອງພາກສ່ວນ

Obsolete

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

50A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

77 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3800 pF @ 20 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

10-PolarPAK® (S)

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

10-PolarPAK® (S)

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

SIE832

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

SIE832DF-T1-E3-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

3,000

ຊື່ ອື່ນໆ

SIE832DF-T1-E3CT

SIE832DFT1E3

SIE832DF-T1-E3TR

SIE832DF-T1-E3DKR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

vishay

SI5441DC-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8

vishay

SIHF530STRL-GE3

MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK

vishay

SI4456DY-T1-E3

MOSFET N-CH 40V 33A 8SO

vishay

SI4168DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 24A 8SO