SI7104DN-T1-E3

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SI7104DN-T1-E3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SI7104DN-T1-E3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 12 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

13058583

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

SI7104DN-T1-E3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Vishay

ບັນທຶກ

Tape & Reel (TR)

ຊຸດ

TrenchFET®

ແພັກເກດ

Tape & Reel (TR)

ສະຖານະພາບຂອງພາກສ່ວນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

35A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 26.1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±12V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2800 pF @ 6 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

3.8W (Ta), 52W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

PowerPAK® 1212-8

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

PowerPAK® 1212-8

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

SI7104

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

SI7104DN-T1-E3-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

3,000

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

vishay

SI7439DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8

vishay

SI7100DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8

vishay

SQJA34EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

vishay

SI7636DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8