ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI5936DU-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI5936DU-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 30V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
ສິນຄ້າ:
6499 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
13060395
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI5936DU-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຊຸດ
TrenchFET®
ແພັກເກດ
Tape & Reel (TR)
ສະຖານະພາບຂອງພາກສ່ວນ
Active
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 N-Channel (Dual)
ລັກສະນະ FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
320pF @ 15V
ພະລັງ - Max
10.4W
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® ChipFET™ Dual
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® ChipFet Dual
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI5936
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SI5936DU-T1-GE3DKR
SI5936DU-T1-GE3CT
SI5936DU-T1-GE3TR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI1900DL-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 0.63A SC70-6
SIZF916DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
SI4511DY-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8SOIC
