SI4866BDY-T1-GE3

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SI4866BDY-T1-GE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SI4866BDY-T1-GE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 12V 21.5A 8SO

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 12 V 21.5A (Tc) 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

13056032

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

SI4866BDY-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Vishay

ບັນທຶກ

-

ຊຸດ

TrenchFET®

ແພັກເກດ

Tape & Reel (TR)

ສະຖານະພາບຂອງພາກສ່ວນ

Obsolete

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

21.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±8V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

5020 pF @ 6 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

2.5W (Ta), 4.45W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

8-SOIC

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

SI4866

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

SI4866BDY-T1-GE3-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

SI4866BDY-T1-GE3

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

2,500

ຊື່ ອື່ນໆ

SI4866BDYT1GE3

SI4866BDY-T1-GE3DKR

SI4866BDY-T1-GE3TR

SI4866BDY-T1-GE3CT

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

vishay

SI7483ADP-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8

vishay

IRFP064PBF

MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3

vishay

IRFZ44STRRPBF

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

vishay

SI4134DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 14A 8SO