ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
VQ1006P-2
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
VQ1006P-2-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 90V 400mA 2W Through Hole 14-DIP
ສິນຄ້າ:
12811752
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
VQ1006P-2 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
4 N-Channel
ລັກສະນະ FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
90V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
400mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
60pF @ 25V
ພະລັງ - Max
2W
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
-
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
14-DIP
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
VQ1006
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
25
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS non-compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
PMWD15UN,518
MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP
PMGD400UN,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP
PMWD19UN,518
MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
